Intel Optane Memory H10 with Solid State Storage 1TB + 32GB, M.2 2280 / M-Key / PCIe 3.0 x4
- Kapazität
- 32GB (entspricht ca. 29.8GiB, weiterführende Informationen)
- Bauform
- Solid State Module (SSM)
- Formfaktor
- M.2 2280
- Schnittstelle
- M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen
- 2400MB/s
- Schreiben
- 1800MB/s
- IOPS 4K
- 330K lesend, 250K schreibend
- Speichermodule
- 3D XPoint/3D-NAND QLC, Micron, 64 Layer (Generation 2)
- TBW
- 300TB, entspricht 9375 Schreibzyklen (TBW/Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose
- 1.6 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller
- Intel SLL3D/Optane, Silicon Motion SM2263 für 3D-NAND QLC
- DRAM-Cache
- nein
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LNM109P002T-RNNNG- Kapazität
- 32GB (entspricht ca. 29.8GiB, weiterführende Informationen)
- Bauform
- Solid State Module (SSM)
- Formfaktor
- M.2 2280
- Schnittstelle
- M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen
- 2400MB/s
- Schreiben
- 1800MB/s
- IOPS 4K
- 330K lesend, 250K schreibend
- Speichermodule
- 3D XPoint/3D-NAND QLC, Micron, 64 Layer (Generation 2)
- TBW
- 300TB, entspricht 9375 Schreibzyklen (TBW/Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose
- 1.6 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller
- Intel SLL3D/Optane, Silicon Motion SM2263 für 3D-NAND QLC
- DRAM-Cache
- nein
- Protokoll
- NVMe 1.1
- Leistungsaufnahme
- 5.8W (Betrieb), 13mW (Schlafmodus)
- Abmessungen
- 80x22x1.5mm (ohne Kühlkörper)
- Besonderheiten
- L1.2 Low-Power-Standby
- Garantie
- 5 Jahre
- Letztes Preisupdate
- -
- Gelistet seit
- 2019-04-23, 11:16
-
Stand: 23.04.2019 .pdf [941.47 KB]
2 Bewertungen für Intel Optane Memory H10 with Solid State Storage 1TB + 32GB, M.2 2280 / M-Key / PCIe 3.0 x4
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pcgameshardware.de: Intel Optane Memory H10 kombiniert 3D XPoint mit QLC-NAND
Intel stellt eine neue NVMe-SSD vor, die sowohl mit QLC-3D-NAND ausgestattet ist als auch über einen Optane-Cache verfügt. Der schnellere 3D-XPoint-Chip soll die Praxisleistung wesentlich beschleunigen, während die QLC-Module ausreichend Kapazität bereitstellen. Diese Kombination aus zwei Flash-Technologien soll in der Praxis wesentlich schneller sein als NVMe-SSDs, die lediglich auf NAND-Flash basieren.
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